Các HVMSS-TANDTC-1 là một khẩu súng magnetron sputtering với đầu thẳng, đó là có khả năng chứa một loạt các 1 "dia. Nguồn phún. Khả năng tương thích của nó với DC, xung DC và RF nguồn cung cấp điện đảm bảo tính linh hoạt tối đa và mở rộng cách sử để mục tiêu khác nhau phún xạ (ví dụ như kim loại, cách điện, từ tính hoặc không từ tính, và vv). cố kết nối nhanh được bao gồm để làm cho việc lắp đặt các thiết bị này là thẳng về phía trước và nó cũng cung cấp thay đổi mục tiêu đơn giản mà không đòi hỏi bất kỳ liên kết mục tiêu.

Tính năng	Cường độ điện trường cao và hồ sơ trường đều đạt được thông qua việc sử dụng các tính toán phần tử hữu hạn điện từ trong các thiết kế của các hội đồng nam châm vĩnh cửu Thấp trở kháng đầu phún xạ và kết nối RF tiêu chuẩn dễ dàng kết hợp và giao diện với một loạt các DC và RF nguồn điện phún xạ.. Dễ dàng cài đặt với các công cụ phổ biến. Nam châm được phân lập từ nước làm mát với lớp phủ bảo vệ chống ăn mòn tối đa hóa độ bền. 1 "Copper Backing Plate ( EQ-CBP-1 ) được bao gồm. Nguồn phún xạ là bakeable lên đến 200 ° C Chuẩn ¾ "OD Shaft Chấp nhận 1/8 "(3 mm) mục tiêu dày; 1 pc của mục tiêu đồng được bao gồm như là phụ kiện tiêu chuẩn
Phún xạ Gun	Thổi Head Đường kính: 1,82 "(46.3mm) Target Đường kính: 1.0 ± 0.02 "(25.4mm) Độ dày tối đa mục tiêu: 1/8 "(3mm) Nam châm: NdFeB Rare Earth Magnet Trục Đường kính: 3/4 "OD
Kết nối điện	Chuẩn HN Nữ nối được bao gồm (DC và RF, Picture dưới, bên trái) Tùy chọn cáp SL16 Connector (hình bên dưới bên phải 2) 148 cm cáp RF được khuyến cáo với thêm chi phí (nhấp Pic. Đúng 1 để đặt hàng)
Nguồn điện	DC (Max.) 250 W RF (Max.) 100 W
Cathode phún xạ hiện tại	3 Amp (Max.)
Cathode thế phún xạ	200 - 1.000 V
Phạm vi áp điều hành	~ 1 mTorr đến 1 Torr
Phún Độ dày đồng nhất đường cong	LƯU Ý: Độ dày màng bình thường hóa đồ thị trên được thu thập từ lắng một ~ 200 nm màng dày với một PVD HV magnetron sputtering súng sử dụng một mục tiêu Cu 1-inch. Các phép đo được thực hiện bằng cách sử dụng một đầu dò 4 điểm trong hai hướng vuông góc nhau (X, Y) trên bề mặt wafer. Bộ phim đã được gửi lên một oxy hóa không quay Si wafer theo các điều kiện sau đây:  150 Watts DC trong 10 mTorr (Ar) Khoảng cách 3-inch (75 mm) từ bia đế
Nước làm mát (Bắt buộc)	Lưu lượng yêu cầu: 1/2 GPM, lọc Nước Inlet Nhiệt độ: <20 C Móc nước lên: 0,25 "ngắt kết nối nhanh OD
Điện & phụ kiện lắp đặt	Đầu nối điện: loại HN Standard (DC và RF)   High Vacuum nối nhanh được bao gồm để sử dụng ngay lập tức, có thể cài đặt các nguồn phún xạ lên tấm đế (lên đến 1 "dày) của một buồng chân không với 1" đường kính thông qua các lỗ EASI ly.
Chiều dài tổng thể	14 inches
Khối Lượng Tịnh	£ 3
Phụ kiện tùy chọn	Digital Tempeature kiểm soát tuần hoàn nước Chiller với 6 Lít Tank, 16L / phút Flow là có sẵn tại thêm chi phí, xin vui lòng đặt hàng riêng biệt, bấm vào pic dưới bên trái để đặt hàng. MTI cung cấp DC và RF nguồn điện cũng như buồng chân không cho hệ thống phương pháp phún xạ DIY (nhấp Pic dưới đây để đặt hàng)
Hướng dẫn hoạt động
Sự bảo đảm	Một năm hạn chế với sự hỗ trợ trọn đời
Thông tin về phương pháp phún xạ Coating	DC phún xạ  Còn được gọi là Direct Current Diode phún xạ và nó là loại cơ bản nhất của phương pháp phún xạ. Ion hóa Argon cation được gia tốc về phía cathode với việc sử dụng một điện áp thiên vị tiêu cực. Sau khi sự va chạm của Argon cation với cực âm (nơi tài liệu mục tiêu được đặt), loài từ nguồn mục tiêu được đẩy ra và sau đó được lắng đọng trên bề mặt.  Phún xạ RF  Đó là lý tưởng để sử dụng với cách điện hoặc các tài liệu mục tiêu điện môi hoặc chất nền như gốm. Nó cho phép một áp Argon thấp hơn nhiều so với người đồng cấp DC (1-15 mTorr vs 100 mTorr) để được sử dụng, do đó làm giảm nồng độ tạp chất khí và trong buồng trong khi cũng cải thiện dòng của sự lắng đọng của thị giác do va chạm khí ít hơn .  Magnetron sputtering  Tính năng phún xạ này làm tăng đáng kể tốc độ phún xạ bằng cách tập trung các ion và electron trong một khu vực hạn chế trên các cathode.By bẫy electron gần các vật liệu mục tiêu bằng cách sử dụng một từ trường, các ion hóa của Argon được tăng lên rất nhiều khi cũng tiếp tục giảm áp suất khí đến 0,5 mTorr để cải thiện dòng của sự lắng đọng của thị giác nhiều hơn.  Các đặc điểm trên đề nghị cải thiện tốc độ lắng đọng, giảm tạp chất của lớp phủ, và cho phép hoạt động theo nhiệt độ susbstrate thấp hơn trong lời khai. Đây là loại phương pháp phún xạ có thể được sử dụng kết hợp với một nguồn điện DC hoặc RF.  Lời khuyên hữu ích nhằm cải thiện kết quả phún xạ  Giữ buồng mẫu của máy bào phún sạch ở tất cả các lần Isopropyl alcohol được ưa thích để làm sạch bề mặt kim loại (bao gồm cả mục tiêu) như acetone mất lâu hơn để outgas và có thể làm giảm hiệu suất chân không Luôn luôn cô lập các máy bơm chân không thô từ buồng mẫu vật để ngăn chặn sự chảy ngược của bơm dầu (hydrocarbon) vào buồng.Phòng này của ô nhiễm buồng thường đạt được bằng cách tắt các van nối các đơn vị máy bào và bơm chân không Chủ sở hữu chất nền Rotary có thể được sử dụng để cải thiện sự phân bổ đều coatins trên các mẫu với các bề mặt không đều Coating đồng nhất có thể được cải thiện hơn nữa bằng cách sử dụng khí tinh khiết cao và mục tiêu. Lý tưởng nhất, các chỉ tiêu được sử dụng phải có đường kính lớn hơn so với các chất ít nhất 20%