4 "tấm silicon vàng tráng, hữu ích cho một loạt các ứng dụng như SEM hoặc AFM hỗ trợ, công nghệ nano và công nghệ sinh học. Cả hai Cr và Au đang bốc hơi trên tấm wafer silicon sử dụng một hệ thống chân không bay hơi bằng crom giữa kính và vàng để phục vụ như . một lớp bám dính bề mặt vàng không phải là nguyên tử bằng phẳng, nhưng có va chạm trong phạm vi nm miếng silicon này được đóng gói và vận chuyển trong một tàu sân bay wafer phủ Au phải được ổn định cho khoảng 175 ° C;.. ở trên mà nhiệt độ phân lớp có thể xảy ra.

Silicon wafer Thông số kỹ thuật:

• Film: Au phủ trên đế Si, 4 "x0.525 mm, 1SP N-type P-pha tạp, 
  
  Định hướng của Au phim: <111> với độ dày: 50nm
  • Cr = 5nm (lớp kết dính)
  • Độ nhám bề mặt trung bình Ra hoặc RMS: <10 A trong RMS
  • Ngân sách nhiệt Max của Au phim: ít hơn 200 độ C

• Chất nền Silicon: Thủ Grade
• Định hướng: <100>
• N loại, P pha tạp
• Điện trở suất: 1-20 ohm.cm
• Substrate Kích thước: 4 "có đường kính x 0,525 +/- 0,020 mm thk
• Ba Lan: một bên đánh bóng