Silicon-on-Sapphire (11-02, R Plate), 100 mm dày Dia x 0.5um, 2 sp

Giá : Liên Hệ

Nội dung chi tiết:

Silicon trên sapphire (SOS) là một dị epitaxy quá trình cho mạch tích hợp sản xuất bao gồm một lớp mỏng (thường mỏng hơn 0,6 micromet) của silicon trồng trên mộtsapphire (Al ₂ O ₃₎ wafer. SOS là một phần của Silicon on Insulator (SOI) gia đình của CMOS công nghệ. SOS là chủ yếu được sử dụng trong hàng không vũ trụ và quân sự ứng dụng vì vốn có của nó khả năng chống bức xạ .

US Dept. of Commerce đòi hỏi End Giấy chứng nhận tài khoản cho xuất khẩu sản phẩm này. Người dùng cuối tại nước ngoài phải nộp cáchình thức chứng chỉ người dùng cuối (bấm vào để tải về) và tất cả doanh số bán hàng có thể có được sự chấp thuận của Mỹ Phòng Thương mại trước khi vận chuyển.

SOS (Silicon on Sapphire) Wafers (Bên DSP-Double đánh bóng)

Silicon EPI Layer:

Silicon Định hướng: (100)
Type, dopant: Loại nội tại, undoped
Silicon Độ dày: 0,5 um +/- 0,05 um
Điện trở suất:> 100 ohm.cm
Mật độ hạt vi mô (các hạt> 2 um) <2 / cm ^ 2

Sapphire Wafer:

R máy bay - (1-102) với single phẳng
Thanh Tịnh: 99,996%
Kích thước wafer: 100 mm độ dày 0,46 mm dia x
Flat: Một 32.5mm phẳng +/- 2.5mm, 45 +/- 1 ° CCW từ <C> trên <R>
Mặt trước: Epi-đánh bóng (Ra <= 0.3 nm)
Trở lại bề mặt: đánh bóng lớp quang
TTV <15 um, Bow <20 um, Warp <20 um, độ phẳng (TIR) <12 um, với Laser Mark trên wafer back-side, ngay dưới Flat

Để lại lời nhắn

Họ tên
Email
Nội dung

Sản phẩm liên quan

1 "Copper Sao tấm - EQ-CBP-1

Call

Nhôm phim trên Silicom Wafer, 3 micron / 4 "- Al-Si-100-3um, Si (100) N-type R: <0,005 ohm.cm

Call

Nhôm phim trên Silicon wafer, 3 micron / 4 "- Al-Si-100-3um, Si (100) N-type R: 1-10 ohm.cm

Call

AlN đơn tinh thể Substrate <0001>, 10x10x0.45mm, 2SP

Call

AlN đơn tinh thể Substrate <0001>, 5x5x0.45mm, 2SP

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Film trên Sapphire) 10x10mmx1000nm

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Film trên Sapphire) 2 "x1000nm t- hai bên đánh bóng

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Film trên Sapphire) 2 "x1000nm t, một bên đánh bóng

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Film trên Sapphire) 2 "x350nm t- hai bên đánh bóng

Call

AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Thim trên Sapphire, undoped) 2 "x 5000 nm

Call

AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-phim trên Sapphire, undoped) 4 "x 5000 nm

Call

AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-phim trên Sapphire, undoped) 4 "x 1000 nm

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Silicon (Epi-phim trên <111> Si, N loại) 10mmx10mm x 200 nm

Call

Si, N loại) 2" x 500 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12895'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

Si, N loại) 2" x 500 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12895'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Undoped AlN epitaxy Mẫu trên 2 "Silicon (Epi-phim trên <111> Si, N loại) 2" x 500 nm

Call

Si, N type) 4" x 200 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12894'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

Si, N type) 4" x 200 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12894'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Undoped AlN epitaxy Mẫu trên 4 "Silicon (Epi-phim trên <111> Si, N type) 4" x 200 nm

Call

Si, loại P) 4" x 200 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12893'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

Si, loại P) 4" x 200 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12893'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Undoped AlN epitaxy Mẫu trên 4 "Silicon (Epi-phim trên <111> Si, loại P) 4" x 200 nm

Call

Si, loại P) 4" x 500 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12892'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

Si, loại P) 4" x 500 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12892'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Undoped AlN epitaxy Mẫu trên 4 "Silicon (Epi-phim trên <111> Si, loại P) 4" x 500 nm

Call

Au (Gold) phủ trên Si (100) chất nền (P-type B-pha tạp), 4 "x0.525 mm, 1SP Au = 50nm (± 5nm), Cr = 5 nm

Call

Au (Gold) phủ trên Si (100) chất nền (N-type P-pha tạp), 4 "x0.525 mm, 1SP Au = 50nm (± 5nm), Cr = 5 nm

Call

Au (vàng) tráng Microscope Slides, độ dày lớp vàng: 50nm (+/- 5nm), Glass slide: 75 x 25mm

Call

Au (Gold) / Ti (Titanium) Tráng Microscope Slides, độ dày lớp vàng: 100nm, Glass slide: 75 x 25x1.1mm, độ tinh khiết của Au: 4N5

Call

Au (Gold) / Ti (Titanium) Tráng Microscope Slides, độ dày lớp vàng: 50nm (+/- 5nm), Glass slide: 75 x 25x1.1mm, độ tinh khiết của Au: 4N5

Call

Au (đa tinh thể định hướng cao) / Cr SiO2 phủ / Si chất nền, 6 "x0.675 mm, 1SP P-type B-pha tạp, Au (111) = 150 nm, Cr = 20nm

Call

Au (đa tinh thể định hướng cao) / Cr SiO2 phủ / đế Si, 4 "x0.525 mm, 1SP P-type B-pha tạp, Au (111) = 50 nm, Cr = 5 nm

Call

Au (đa tinh thể định hướng cao) / Cr SiO2 phủ / đế Si, 4 "x0.525 mm, 1SP P-type B-pha tạp, Au (111) = 150 nm, Cr = 20nm

Call

Au (đa tinh thể định hướng cao) / Ti / SiO2 trên đế Si, 4 "x0.525 mm, 1SP P-type B-pha tạp, Au (111) = 50 nm, Ti = 2 nm, SiO2 = 300nm

Call

Al (0.1) Ga (0.9) N epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), loại N,, đường kính 2 ", Al (0.1) Ga (0.9) N dày 200nm +/- 20nm, sản xuất Grade

Call

Al (0.1) Ga (0.9) N epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), loại P-,, đường kính 2 ", Al (0.1) Ga (0.9) N dày 200nm +/- 20nm, sản xuất Grade

Call

Boron Nitride phim trên Silicon wafer, 24 nm / 4 "- BN-Si-100-24nm

Call

Ba1-xSrxTiO3 Film (400nm) trên (Pt / Ti / SiO2 / Si), 10x10x0.5mm

Call

Ba1-xSrxTiO3 Film (400nm) trên Nb.SrTiO3, 10x10x0.5mm

Call

BiFeO3 phim trên Nb: SrTiO3: Substrate, 10x10x0.5mm

Call

BiFeO3 Film (400nm) trên (Pt / Ti / SiO2 / Si), 10x10x0.5mm - BiFeO3-Pt-101005S1

Call

Cu Epi Thin Film trên Silicon wafer, 4 ", 400 nm dày, - Cu-Si-4-400nm

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / Silicon wafer, 4 ", 100 nm dày, - Cu-Ta-Si-4-100nm

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / oxit nhiệt / Silicon wafer, 4 ", 400 nm dày, - Cu-Ta-SiO2 / Si-4-400nm

Call

Cu Epi Thin Film trên Ti / Silicon wafer, 4 ", Cu = 100 nm Ti = 20nm ,, Si (100) B-pha tạp, 4" x0.525mm, R: 1-20 ohm.cm, 1SP

Call

Cu Epi phim tráng trên Ta / SiO2 / Si Wafer 4 ", 100 nm dày, - Cu-SiO2-Si-4-100n

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / Silicon wafer, 10 mm x 5 mm, 100 nm dày,

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / Silicon wafer, 5 mm x 5 mm, 100 nm dày,

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / Silicon wafer, 10x10mm, 100 nm dày, - Cu-Ta-Si-1010

Call

Cu Epi phim tráng trên Ta / SiO2 / Si Wafer 10x10x0.5mm, 100 nm dày, - Cu-SiO2-Si-1010

Call

CeO2 Epi Film (40 nm một bên) trên YSZ <100> 10x10x0.5 mm

Call

CeO2 Epi Film (40 nm một bên) trên YSZ <110> 10x10x0.5 mm.

Call

CeO2 Epi Film (40 nm một bên) trên YSZ, <111> 10x10x0.5 mm, 1SP

Call

Kim cương trên Oxide (DOI) Wafer, 4 ", 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Kim cương trên Silicon wafer, 4 ", 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Điện dẫn điện kim cương trên Insualtor Wafer, 4 ", 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Điện dẫn điện kim cương trên Insualtor Wafer, 4 ", 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Kim cương trên Oxide Wafer, 10x10mm, 2um Dầy, 10nm Ra

Call

Kim cương trên Silicon wafer, 10x10mm, 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Điện dẫn điện kim cương trên Insultor Wafer, 10x10, 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Kim cương trên Silicon wafer, 4 ", 1 um dày, 1nm Ra

Call

Kim cương trên Silicon wafer, 10x10mm, 0,1 micron dày, Ra <1 nm

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) 1 "x 1" x 1.1 mm, R: 7-10 ohm / sq 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) với mẫu 1 "x 1" x 1.1 mm, R: 7-10 ohm / sq 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate 100 x 100 x 1.1 mm, R: 7-10 ohm / sq 5 chiếc / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) 1 "x 1" x 2.2 mm, R: 6-8 ohm / sq 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 70) 1 "x 1" x 3.2 mm, R: 58-72 ohm / sq 25 chiếc / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) 1.0 "x 3" x 2.2 mm, 6-8 ohm / sq, 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 15) 1 "x 1" x 2.2 mm, R: 12-14 ohm / sq 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 15) 1.0 "x 3" x 2.2 mm, R: 12-14 ohm / sq, 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 70) 1.0 "x 3" x 3.2 mm, R: 58-72 ohm / sq, 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 15) 3 "x 3" x 2.2 mm, R: 12-14 ohm / sq 25 chiếc / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 15) 100 x 100 x 2.2 mm, R: 12-14 ohm / sq 25 chiếc / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) 100 x 100 x 2.2 mm, R: 6-8 ohm / sq 25 chiếc / gói

Call

GOI --Ge lớp với <100> với 10 độ về phía (111) trên Insulator wafer, 6 "dia

Call

Mg-pha tạp P-type GaN (0001) epitaxy Mẫu trên Sapphire 10mmx10mmx 2 micron, 2SP

Call

GaN (0001) epitaxy Template (N +, Si-pha tạp) trên Sapphire, 2 "x 5um, 1SP

Call

GaN (0001) epitaxy Template (N +, Si-pha tạp) trên Sapphire, 2 "x 5um, 2SP

Call

GaN (0001) epitaxy Template (N-type, Fe-pha tạp) trên Sapphire, 2 "x 5um, 1SP

Call

Si-pha tạp GaN (0001) epitaxy Mẫu trên Sapphire N + loại, 4 "x 5 micron, 1SP

Call

FLAAT GaN (0001) epitaxy Template (N +, Si-pha tạp) trên Sapphire N +, 2 "x 15um, 1SP

Call

5E17 / cc" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12835'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

5E17 / cc" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12835'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Mg-pha tạp P-type GaN (0001) epitaxy Mẫu trên Sapphire 2 "x 2 micron, 1SP, Doping Nồng độ:> 5E17 / cc

Call

Mg-pha tạp P-type GaN (0001) epitaxy Mẫu trên Sapphire 2 "x 3 micron, 1SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, C máy bay (Epi-Film trên Sapphire, N loại) 5x5 mmx 30 micron Độ dày

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, máy bay R- (Epi-Thim trên Sapphire, N loại) 5 x 5 mm x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, C máy bay (Epi-Thim trên Sapphire, N type) 10 x 10 mm x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, M máy bay (Epi-Film trên Sapphire, N type) 10 x 10 mm x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, C máy bay (Epi-Film trên Sapphire, N loại) 10x10 x0.5 mm x 30 micron Độ dày

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, máy bay R- (Epi-Thim trên Sapphire, N type) 10 x 10 mm x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 2 "x 5 micron, 2SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 2 "x 5 micron, 1SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (máy bay R), N loại, undoped, 2 "x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 2 "x 30 micron, 1SP (Sản xuất Grade)

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 2 "x 100 um, 1SP (Sản xuất Grade)

Call

Semi-Lăng mạ GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 3 "x 5 micron, 1SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Semi-cách nhiệt) 2 "x 20 Micron - Sản xuất Grade)

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Semi-cách nhiệt) 2 "x 5 Micron - Nghiên cứu Grade

Call

GaN epitaxy Template (500nm) trên Silicon wafer, N loại, undoped, 10x10 mm, GaNSi-1010-500-Mỹ

Call

200nmGaN / 50 nm AlN trên 2 "Silicon wafer, N loại, P-pha tạp,

Call

GaN epitaxy Mẫu trên 2 "Silicon wafer, GaN phim, N loại, undoped trên Si (111) chất nền, 2" x 500 (+/- 5%) nm, 1SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên 4 "Silicon wafer, GaN phim, 0,5 um th, N loại, undoped, trên Si (111) chất nền, 4" x 525 nm, 1SP R: <0.5 ohm.cm

Call

GaN Mẫu trên Si <111> 4'dia. GaN dày 500 nm +/- 100nm, Si (111) P-type, B-pha tạp, R <0,005 ohm.cm

Call

Ga2O3-ß đơn tinh thể Substrate, <-201> ori, 10x10x0.6mm, 1SP

Call

Ga2O3-ß đơn tinh thể Substrate, <-201> ori, 2 "dia x0.6mm, 1SP

Call

Ga2O3-ß đơn tinh thể Substrate, <-201> ori, 5x5x0.6mm, 1SP

Call

4 ' N-type Ge epi-phim trên P-type Silicon wafer, 2 um dày

Call

4 ' P-type Ge epi-phim trên P-type Silicon wafer, 2 um dày

Call

4 ' N-type Ge epi-phim trên N-type Silicon wafer, 0,5 um dày

Call

4 ' P-type Ge epi-phim trên N-type Silicon wafer, 0,5 um dày

Call

Phim Graphene trên Ni / SiO2 / Si 100mm dia,

Call

2 ". Dia GaAs / AlGaAs EPI phim trên GaAs (SI) (100) Depositied bởi MOCVD (GaAs: U) 2" dia x0.35mm, 1SP

Call

ITO Coated Glass Substrate 10mm x 10 mm x 0.7 mm, R: 9-15 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, R: 6-7 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 250 nm + / 25nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, R: 16-19 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 90 nm + / 10nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, R: 7-10 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, R: 8-10 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 1.1 mm, R: 8-10 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO / ZnO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, ITO Film = 100nm, ZnO phim = 50nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1.0 "x 3" x 0.7 mm, R: 6-7 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 250 nm +/- 25nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1.0 "x 3" x 0.7 mm, R: 9-12 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO Coated (250 nm) Thủy tinh Substrate: 100mm x 100 mm x 0.7 mm, 6-7 ohm / sq - ITO-10010007-7H

Call

ITO Coated Glass Substrate với màng ITO 115 +/- 10 nm 100mm x 100 mm x 0.7 mm, 12-15 ohm / sq

Call

ITO Coated Glass Substrate với màng ITO 180 +/- 25 nm 100mm x 100 mm x 0.7 mm, 8-10 ohm / sq

Call

ITO Coated Glass Substrate với ITO độ dày khoảng 90 +/- 10nm 100mm x 100 mm x 0.7 mm, 16-19ohm / sq

Call

ITO (180nm) Coated Glass Substrate 100x100x0.7 mm, R: 9-15 ohm / sq, - ITO-10010007-15C

Call

ITO Coated Glass Substrate 2 "x 0.7 mm, R: 9-15 ohm / sq- 1SP, danh định độ dày màng ITO: 180 nm

Call

TiO2 (150nm) Coated Glass Sodalime 1 "x1" x 0.7mm

Call

ITO tráng PEN phim nhựa, 0.2mm Dày x 210mm x 290mm W L, 15 ohm / sq - ITO-PEN-15K

Call

ITO tráng nhựa PET phim, 0.175mm Dày x 300mm Chiều rộng x 1 Meter Length, 14 ohm / sq, ITO lớp: 115nm +/- 10nm

Call

Phim ITO trên Corning 7980, 10x10x 0.5mm R: 9-15 ohm / sq

Call

Màng ITO (180 nm) trên Corning 7980, 6 "x 6" x 0.5mm R: 9-15 ohm / sq, - ITO-15215205-15C

Call

Màng ITO (180 nm) trên Corning 7980, 1 "x 1" x 0.5mm R: 9-15 ohm / sq, - ITO-252505-15C

Call

2 "dia InAlAs EPI phim trên InP (SI) (100) 2." Dia x0.35mm, 1SP, EPI lớp: 300nm dày, In0.52Al0.48As undoped

Call

2 "dia InGaAs EPI phim trên InP (SI) (100) Depositied bởi MOCVD (InP: Fe). 2" dia x0.35mm, 2SP, Film: 750 nm

Call

2 "dia InGaAs EPI phim trên InP (SI) (100) Depositied bởi MOCVD. (Ví dụ như InP: Fe) 2" dia x0.35mm, 2SP, Film: 500 nm

Call

Epi: lưới phù hợp N-type InGaAs: Si [100], trên un-pha tạp InP dày: 1.0um (± 20%) 2 "x0.35mm, 1SP.

Call

Epi: lưới phù hợp N-type InGaAs: undoped [100], trên S-doped InP 3 "x0.65mm, 1SP

Call

Epi: lưới phù hợp p-type InGaAs: Zn [100], trên un-pha tạp InP dày: 1.0um (± 20%) 10x10x0.35mm, 1SP.

Call

Epi: lưới phù hợp p-type InGaAs: Zn [100], trên un-pha tạp InP dày: 1.0um (± 20%) 2 "x0.35mm, 1SP.

Call

InGaP / GaAs EPI Ready wafer, P / E 3 "dia.x0.625mm, 1SP

Call

LaNiO3 EPI Film (400nm) trên LaAlO3 <100> 10x10x0.5mm

Call

LaNiO3 Film (400nm) trên (Pt / Ti / SiO2 / Si), 10x10x0.5mm

Call

La0.5Sr0.5TiO3 EPI Film (400nm) trên LaAlO3 <100> 10x10x0.5mm

Call

Mo bọc Sodalime Glass, 100 mm (L) x 100 mm (W) x 1.1 mm thk

Call

Mo bọc Sodalime Glass, 20 mm (L) x 15 mm (W) x 0.7 mm th

Call

Mo bọc Sodalime Glass, 25 mm (L) x 25 mm (W) x 0.7 mm th

Call

Nickel <111> Epi Film (100nm) Tráng SiO2 / Si Wafer - 4 "dia (100) P / Boron, SSP, R:. 1-20 ohm.cm

Call

Nickel <111> Film (100nm) tráng Silicon wafer -4 "dia (100) P / Boron, SSP, R:. 1-20 ohm.cm

Call

Nickel <111> Film (100nm) Tráng Sĩ Wafer (100) P / Boron, 10x10x0.5mmSSP, R: 1-20 ohm.cm -1 - Ni-Si-Ba101005S1

Call

Nickel <111> Film (100nm) Tráng Sĩ Wafer (100) P / Boron, 5x5x0.5mmSSP, R: 1-20 ohm.cm

Call

Nickel <111> Film (100nm) Tráng SiO2 / Si Wafer - (100) P / Boron, 10x10x0.5mmSSP, R: 1-20 ohm.cm - Ni-SO / Si-101005S1

Call

Nickel <111> Film (100nm) Tráng SiO2 / Si Wafer - (100) P / Boron, 5 x 5 x 0.5mmSSP, R: 1-20 ohm.cm - Ni-SO / Si-101005S1 -1

Call

SiO2 + Ti + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 2 "x0.279mm, 1SP P-type - SI-SO-Ti-Pt (111) 50D0279C1

Call

SiO2 + Ti + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 300nm, Ti = 0-5 nm, Pt (111) = 50-60 nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 300nm, Ti = 10nm, Pt (111) = 150nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 300nm, Ti = 3nm, Pt (111) = 60nm)

Call

SiO2 + TiO2 + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP N-type un-pha tạp, (SiO2 = 300nm, TiO2 = 20nm, Pt (111) = 150nm)

Call

SiO2 + TiO2 + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 300nm, TiO2 = 20nm, Pt (111) = 150nm)

Call

SiO2 + Pt màng mỏng trên Si (B-pha tạp) chất nền, 10x10x0.5mm, 1SP (SiO2 = 500nm, Pt = 60nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt màng mỏng trên đế Si, 10x5x0.5mm, 1SP, B-doped (SiO2 = 500nm, Ti = 50nm, Pt = 200nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt màng mỏng trên Si (100) (B-pha tạp) chất nền, 10x10x0.5mm, 1SP, (SiO2 = 500nm, Ti = 50nm, Pt = 200nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt màng mỏng trên đế Si, 4 "x0.5mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 500nm, Ti = 50nm, Pt = 200nm)

Call

300 nm SiO2 + 50nm Si3N4 Films trên Si (100), 2 "dia x 0,250 mm t, P loại, B-doped R: 0.01-0.1ohm.cm

Call