Một Side 100nm YBCO phim trên SrTiO3 (100) 10x10x0.5 mm chất nền

Giá : Liên Hệ

Nội dung chi tiết:

Thông số kỹ thuật chính của HTS Film

Epitaxy Thành phần phim mỏng	<100> YBCO
Chiều Film cả cho một bên hoặc phim phía đôi	YBCO / LaAlO3 10x10 mm ~ 3 "dia. YBCO / LSAT 10x10 mm ~ 2 "dia. YBCO / Al2O3 10x10 mm ~ 3 "dia YBCO / STO 10x10 mm ~ 1 "dia.
Epitaxy FWHM	<0,2 ^o
Nhiệt độ chuyển tiếp quan trọng Tc	> 90 K
Nhiệt độ quá trình chuyển đổi. phạm vi ΔTc	<0.5 K
Critical Jc hiện tại	2 ~ 3 MA / cm2 @ 77K 0T
Bề mặt điện trở suất Rs	<1 m Ohm @ 10 GHz, 77K, 0T
Độ dày màng mỏng	200-500 nm khi được yêu cầu,
Tính đồng nhất cho 2 "wafer	Độ dày 400 nm +/- 10% Tc 90k +/- 1 ^o Jc 3 +/- 0,5 MA / cm ² @ 80% wafer trung tâm.
Gói	Kín trong chân không trong một hộp nhựa và túi.

Đôi phim bên YBCO trên LAO. 224s Jc đồng nhất đo FZK XRD mẫu của Epi YSCO phim trên LAO

Lưu ý: YBCO là rất nhạy cảm với độ ẩm, và phải được lưu trữ trong bình hút ẩm hộp.

Để lại lời nhắn

Họ tên
Email
Nội dung

Sản phẩm liên quan

1 "Copper Sao tấm - EQ-CBP-1

Call

Nhôm phim trên Silicom Wafer, 3 micron / 4 "- Al-Si-100-3um, Si (100) N-type R: <0,005 ohm.cm

Call

Nhôm phim trên Silicon wafer, 3 micron / 4 "- Al-Si-100-3um, Si (100) N-type R: 1-10 ohm.cm

Call

AlN đơn tinh thể Substrate <0001>, 10x10x0.45mm, 2SP

Call

AlN đơn tinh thể Substrate <0001>, 5x5x0.45mm, 2SP

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Film trên Sapphire) 10x10mmx1000nm

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Film trên Sapphire) 2 "x1000nm t- hai bên đánh bóng

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Film trên Sapphire) 2 "x1000nm t, một bên đánh bóng

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Film trên Sapphire) 2 "x350nm t- hai bên đánh bóng

Call

AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-Thim trên Sapphire, undoped) 2 "x 5000 nm

Call

AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-phim trên Sapphire, undoped) 4 "x 5000 nm

Call

AlN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Epi-phim trên Sapphire, undoped) 4 "x 1000 nm

Call

Undoped AlN epitaxy Mẫu trên Silicon (Epi-phim trên <111> Si, N loại) 10mmx10mm x 200 nm

Call

Si, N loại) 2" x 500 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12895'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

Si, N loại) 2" x 500 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12895'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Undoped AlN epitaxy Mẫu trên 2 "Silicon (Epi-phim trên <111> Si, N loại) 2" x 500 nm

Call

Si, N type) 4" x 200 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12894'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

Si, N type) 4" x 200 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12894'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Undoped AlN epitaxy Mẫu trên 4 "Silicon (Epi-phim trên <111> Si, N type) 4" x 200 nm

Call

Si, loại P) 4" x 200 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12893'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

Si, loại P) 4" x 200 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12893'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Undoped AlN epitaxy Mẫu trên 4 "Silicon (Epi-phim trên <111> Si, loại P) 4" x 200 nm

Call

Si, loại P) 4" x 500 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12892'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

Si, loại P) 4" x 500 nm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12892'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Undoped AlN epitaxy Mẫu trên 4 "Silicon (Epi-phim trên <111> Si, loại P) 4" x 500 nm

Call

Au (Gold) phủ trên Si (100) chất nền (P-type B-pha tạp), 4 "x0.525 mm, 1SP Au = 50nm (± 5nm), Cr = 5 nm

Call

Au (Gold) phủ trên Si (100) chất nền (N-type P-pha tạp), 4 "x0.525 mm, 1SP Au = 50nm (± 5nm), Cr = 5 nm

Call

Au (vàng) tráng Microscope Slides, độ dày lớp vàng: 50nm (+/- 5nm), Glass slide: 75 x 25mm

Call

Au (Gold) / Ti (Titanium) Tráng Microscope Slides, độ dày lớp vàng: 100nm, Glass slide: 75 x 25x1.1mm, độ tinh khiết của Au: 4N5

Call

Au (Gold) / Ti (Titanium) Tráng Microscope Slides, độ dày lớp vàng: 50nm (+/- 5nm), Glass slide: 75 x 25x1.1mm, độ tinh khiết của Au: 4N5

Call

Au (đa tinh thể định hướng cao) / Cr SiO2 phủ / Si chất nền, 6 "x0.675 mm, 1SP P-type B-pha tạp, Au (111) = 150 nm, Cr = 20nm

Call

Au (đa tinh thể định hướng cao) / Cr SiO2 phủ / đế Si, 4 "x0.525 mm, 1SP P-type B-pha tạp, Au (111) = 50 nm, Cr = 5 nm

Call

Au (đa tinh thể định hướng cao) / Cr SiO2 phủ / đế Si, 4 "x0.525 mm, 1SP P-type B-pha tạp, Au (111) = 150 nm, Cr = 20nm

Call

Au (đa tinh thể định hướng cao) / Ti / SiO2 trên đế Si, 4 "x0.525 mm, 1SP P-type B-pha tạp, Au (111) = 50 nm, Ti = 2 nm, SiO2 = 300nm

Call

Al (0.1) Ga (0.9) N epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), loại N,, đường kính 2 ", Al (0.1) Ga (0.9) N dày 200nm +/- 20nm, sản xuất Grade

Call

Al (0.1) Ga (0.9) N epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), loại P-,, đường kính 2 ", Al (0.1) Ga (0.9) N dày 200nm +/- 20nm, sản xuất Grade

Call

Boron Nitride phim trên Silicon wafer, 24 nm / 4 "- BN-Si-100-24nm

Call

Ba1-xSrxTiO3 Film (400nm) trên (Pt / Ti / SiO2 / Si), 10x10x0.5mm

Call

Ba1-xSrxTiO3 Film (400nm) trên Nb.SrTiO3, 10x10x0.5mm

Call

BiFeO3 phim trên Nb: SrTiO3: Substrate, 10x10x0.5mm

Call

BiFeO3 Film (400nm) trên (Pt / Ti / SiO2 / Si), 10x10x0.5mm - BiFeO3-Pt-101005S1

Call

Cu Epi Thin Film trên Silicon wafer, 4 ", 400 nm dày, - Cu-Si-4-400nm

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / Silicon wafer, 4 ", 100 nm dày, - Cu-Ta-Si-4-100nm

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / oxit nhiệt / Silicon wafer, 4 ", 400 nm dày, - Cu-Ta-SiO2 / Si-4-400nm

Call

Cu Epi Thin Film trên Ti / Silicon wafer, 4 ", Cu = 100 nm Ti = 20nm ,, Si (100) B-pha tạp, 4" x0.525mm, R: 1-20 ohm.cm, 1SP

Call

Cu Epi phim tráng trên Ta / SiO2 / Si Wafer 4 ", 100 nm dày, - Cu-SiO2-Si-4-100n

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / Silicon wafer, 10 mm x 5 mm, 100 nm dày,

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / Silicon wafer, 5 mm x 5 mm, 100 nm dày,

Call

Cu Epi Thin Film trên Ta / Silicon wafer, 10x10mm, 100 nm dày, - Cu-Ta-Si-1010

Call

Cu Epi phim tráng trên Ta / SiO2 / Si Wafer 10x10x0.5mm, 100 nm dày, - Cu-SiO2-Si-1010

Call

CeO2 Epi Film (40 nm một bên) trên YSZ <100> 10x10x0.5 mm

Call

CeO2 Epi Film (40 nm một bên) trên YSZ <110> 10x10x0.5 mm.

Call

CeO2 Epi Film (40 nm một bên) trên YSZ, <111> 10x10x0.5 mm, 1SP

Call

Kim cương trên Oxide (DOI) Wafer, 4 ", 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Kim cương trên Silicon wafer, 4 ", 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Điện dẫn điện kim cương trên Insualtor Wafer, 4 ", 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Điện dẫn điện kim cương trên Insualtor Wafer, 4 ", 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Kim cương trên Oxide Wafer, 10x10mm, 2um Dầy, 10nm Ra

Call

Kim cương trên Silicon wafer, 10x10mm, 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Điện dẫn điện kim cương trên Insultor Wafer, 10x10, 2 um Dầy, 10 nm Ra

Call

Kim cương trên Silicon wafer, 4 ", 1 um dày, 1nm Ra

Call

Kim cương trên Silicon wafer, 10x10mm, 0,1 micron dày, Ra <1 nm

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) 1 "x 1" x 1.1 mm, R: 7-10 ohm / sq 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) với mẫu 1 "x 1" x 1.1 mm, R: 7-10 ohm / sq 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate 100 x 100 x 1.1 mm, R: 7-10 ohm / sq 5 chiếc / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) 1 "x 1" x 2.2 mm, R: 6-8 ohm / sq 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 70) 1 "x 1" x 3.2 mm, R: 58-72 ohm / sq 25 chiếc / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) 1.0 "x 3" x 2.2 mm, 6-8 ohm / sq, 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 15) 1 "x 1" x 2.2 mm, R: 12-14 ohm / sq 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 15) 1.0 "x 3" x 2.2 mm, R: 12-14 ohm / sq, 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 70) 1.0 "x 3" x 3.2 mm, R: 58-72 ohm / sq, 25pcs / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 15) 3 "x 3" x 2.2 mm, R: 12-14 ohm / sq 25 chiếc / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 15) 100 x 100 x 2.2 mm, R: 12-14 ohm / sq 25 chiếc / gói

Call

FTO Glass Substrate (TEC 7) 100 x 100 x 2.2 mm, R: 6-8 ohm / sq 25 chiếc / gói

Call

GOI --Ge lớp với <100> với 10 độ về phía (111) trên Insulator wafer, 6 "dia

Call

Mg-pha tạp P-type GaN (0001) epitaxy Mẫu trên Sapphire 10mmx10mmx 2 micron, 2SP

Call

GaN (0001) epitaxy Template (N +, Si-pha tạp) trên Sapphire, 2 "x 5um, 1SP

Call

GaN (0001) epitaxy Template (N +, Si-pha tạp) trên Sapphire, 2 "x 5um, 2SP

Call

GaN (0001) epitaxy Template (N-type, Fe-pha tạp) trên Sapphire, 2 "x 5um, 1SP

Call

Si-pha tạp GaN (0001) epitaxy Mẫu trên Sapphire N + loại, 4 "x 5 micron, 1SP

Call

FLAAT GaN (0001) epitaxy Template (N +, Si-pha tạp) trên Sapphire N +, 2 "x 15um, 1SP

Call

5E17 / cc" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12835'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

5E17 / cc" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12835'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Mg-pha tạp P-type GaN (0001) epitaxy Mẫu trên Sapphire 2 "x 2 micron, 1SP, Doping Nồng độ:> 5E17 / cc

Call

Mg-pha tạp P-type GaN (0001) epitaxy Mẫu trên Sapphire 2 "x 3 micron, 1SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, C máy bay (Epi-Film trên Sapphire, N loại) 5x5 mmx 30 micron Độ dày

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, máy bay R- (Epi-Thim trên Sapphire, N loại) 5 x 5 mm x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, C máy bay (Epi-Thim trên Sapphire, N type) 10 x 10 mm x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, M máy bay (Epi-Film trên Sapphire, N type) 10 x 10 mm x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, C máy bay (Epi-Film trên Sapphire, N loại) 10x10 x0.5 mm x 30 micron Độ dày

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire, máy bay R- (Epi-Thim trên Sapphire, N type) 10 x 10 mm x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 2 "x 5 micron, 2SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 2 "x 5 micron, 1SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (máy bay R), N loại, undoped, 2 "x 5 micron

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 2 "x 30 micron, 1SP (Sản xuất Grade)

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 2 "x 100 um, 1SP (Sản xuất Grade)

Call

Semi-Lăng mạ GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (C máy bay), N loại, undoped, 3 "x 5 micron, 1SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Semi-cách nhiệt) 2 "x 20 Micron - Sản xuất Grade)

Call

GaN epitaxy Mẫu trên Sapphire (Semi-cách nhiệt) 2 "x 5 Micron - Nghiên cứu Grade

Call

GaN epitaxy Template (500nm) trên Silicon wafer, N loại, undoped, 10x10 mm, GaNSi-1010-500-Mỹ

Call

200nmGaN / 50 nm AlN trên 2 "Silicon wafer, N loại, P-pha tạp,

Call

GaN epitaxy Mẫu trên 2 "Silicon wafer, GaN phim, N loại, undoped trên Si (111) chất nền, 2" x 500 (+/- 5%) nm, 1SP

Call

GaN epitaxy Mẫu trên 4 "Silicon wafer, GaN phim, 0,5 um th, N loại, undoped, trên Si (111) chất nền, 4" x 525 nm, 1SP R: <0.5 ohm.cm

Call

GaN Mẫu trên Si <111> 4'dia. GaN dày 500 nm +/- 100nm, Si (111) P-type, B-pha tạp, R <0,005 ohm.cm

Call

Ga2O3-ß đơn tinh thể Substrate, <-201> ori, 10x10x0.6mm, 1SP

Call

Ga2O3-ß đơn tinh thể Substrate, <-201> ori, 2 "dia x0.6mm, 1SP

Call

Ga2O3-ß đơn tinh thể Substrate, <-201> ori, 5x5x0.6mm, 1SP

Call

4 ' N-type Ge epi-phim trên P-type Silicon wafer, 2 um dày

Call

4 ' P-type Ge epi-phim trên P-type Silicon wafer, 2 um dày

Call

4 ' N-type Ge epi-phim trên N-type Silicon wafer, 0,5 um dày

Call

4 ' P-type Ge epi-phim trên N-type Silicon wafer, 0,5 um dày

Call

Phim Graphene trên Ni / SiO2 / Si 100mm dia,

Call

2 ". Dia GaAs / AlGaAs EPI phim trên GaAs (SI) (100) Depositied bởi MOCVD (GaAs: U) 2" dia x0.35mm, 1SP

Call

ITO Coated Glass Substrate 10mm x 10 mm x 0.7 mm, R: 9-15 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, R: 6-7 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 250 nm + / 25nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, R: 16-19 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 90 nm + / 10nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, R: 7-10 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, R: 8-10 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 1.1 mm, R: 8-10 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO / ZnO Coated Glass Substrate 1 "x 1" x 0.7 mm, ITO Film = 100nm, ZnO phim = 50nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1.0 "x 3" x 0.7 mm, R: 6-7 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 250 nm +/- 25nm

Call

ITO Coated Glass Substrate 1.0 "x 3" x 0.7 mm, R: 9-12 ohm / sq, độ dày màng ITO danh nghĩa: 180 nm

Call

ITO Coated (250 nm) Thủy tinh Substrate: 100mm x 100 mm x 0.7 mm, 6-7 ohm / sq - ITO-10010007-7H

Call

ITO Coated Glass Substrate với màng ITO 115 +/- 10 nm 100mm x 100 mm x 0.7 mm, 12-15 ohm / sq

Call

ITO Coated Glass Substrate với màng ITO 180 +/- 25 nm 100mm x 100 mm x 0.7 mm, 8-10 ohm / sq

Call

ITO Coated Glass Substrate với ITO độ dày khoảng 90 +/- 10nm 100mm x 100 mm x 0.7 mm, 16-19ohm / sq

Call

ITO (180nm) Coated Glass Substrate 100x100x0.7 mm, R: 9-15 ohm / sq, - ITO-10010007-15C

Call

ITO Coated Glass Substrate 2 "x 0.7 mm, R: 9-15 ohm / sq- 1SP, danh định độ dày màng ITO: 180 nm

Call

TiO2 (150nm) Coated Glass Sodalime 1 "x1" x 0.7mm

Call

ITO tráng PEN phim nhựa, 0.2mm Dày x 210mm x 290mm W L, 15 ohm / sq - ITO-PEN-15K

Call

ITO tráng nhựa PET phim, 0.175mm Dày x 300mm Chiều rộng x 1 Meter Length, 14 ohm / sq, ITO lớp: 115nm +/- 10nm

Call

Phim ITO trên Corning 7980, 10x10x 0.5mm R: 9-15 ohm / sq

Call

Màng ITO (180 nm) trên Corning 7980, 6 "x 6" x 0.5mm R: 9-15 ohm / sq, - ITO-15215205-15C

Call

Màng ITO (180 nm) trên Corning 7980, 1 "x 1" x 0.5mm R: 9-15 ohm / sq, - ITO-252505-15C

Call

2 "dia InAlAs EPI phim trên InP (SI) (100) 2." Dia x0.35mm, 1SP, EPI lớp: 300nm dày, In0.52Al0.48As undoped

Call

2 "dia InGaAs EPI phim trên InP (SI) (100) Depositied bởi MOCVD (InP: Fe). 2" dia x0.35mm, 2SP, Film: 750 nm

Call

2 "dia InGaAs EPI phim trên InP (SI) (100) Depositied bởi MOCVD. (Ví dụ như InP: Fe) 2" dia x0.35mm, 2SP, Film: 500 nm

Call

Epi: lưới phù hợp N-type InGaAs: Si [100], trên un-pha tạp InP dày: 1.0um (± 20%) 2 "x0.35mm, 1SP.

Call

Epi: lưới phù hợp N-type InGaAs: undoped [100], trên S-doped InP 3 "x0.65mm, 1SP

Call

Epi: lưới phù hợp p-type InGaAs: Zn [100], trên un-pha tạp InP dày: 1.0um (± 20%) 10x10x0.35mm, 1SP.

Call

Epi: lưới phù hợp p-type InGaAs: Zn [100], trên un-pha tạp InP dày: 1.0um (± 20%) 2 "x0.35mm, 1SP.

Call

InGaP / GaAs EPI Ready wafer, P / E 3 "dia.x0.625mm, 1SP

Call

LaNiO3 EPI Film (400nm) trên LaAlO3 <100> 10x10x0.5mm

Call

LaNiO3 Film (400nm) trên (Pt / Ti / SiO2 / Si), 10x10x0.5mm

Call

La0.5Sr0.5TiO3 EPI Film (400nm) trên LaAlO3 <100> 10x10x0.5mm

Call

Mo bọc Sodalime Glass, 100 mm (L) x 100 mm (W) x 1.1 mm thk

Call

Mo bọc Sodalime Glass, 20 mm (L) x 15 mm (W) x 0.7 mm th

Call

Mo bọc Sodalime Glass, 25 mm (L) x 25 mm (W) x 0.7 mm th

Call

Nickel <111> Epi Film (100nm) Tráng SiO2 / Si Wafer - 4 "dia (100) P / Boron, SSP, R:. 1-20 ohm.cm

Call

Nickel <111> Film (100nm) tráng Silicon wafer -4 "dia (100) P / Boron, SSP, R:. 1-20 ohm.cm

Call

Nickel <111> Film (100nm) Tráng Sĩ Wafer (100) P / Boron, 10x10x0.5mmSSP, R: 1-20 ohm.cm -1 - Ni-Si-Ba101005S1

Call

Nickel <111> Film (100nm) Tráng Sĩ Wafer (100) P / Boron, 5x5x0.5mmSSP, R: 1-20 ohm.cm

Call

Nickel <111> Film (100nm) Tráng SiO2 / Si Wafer - (100) P / Boron, 10x10x0.5mmSSP, R: 1-20 ohm.cm - Ni-SO / Si-101005S1

Call

Nickel <111> Film (100nm) Tráng SiO2 / Si Wafer - (100) P / Boron, 5 x 5 x 0.5mmSSP, R: 1-20 ohm.cm - Ni-SO / Si-101005S1 -1

Call

SiO2 + Ti + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 2 "x0.279mm, 1SP P-type - SI-SO-Ti-Pt (111) 50D0279C1

Call

SiO2 + Ti + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 300nm, Ti = 0-5 nm, Pt (111) = 50-60 nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 300nm, Ti = 10nm, Pt (111) = 150nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 300nm, Ti = 3nm, Pt (111) = 60nm)

Call

SiO2 + TiO2 + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP N-type un-pha tạp, (SiO2 = 300nm, TiO2 = 20nm, Pt (111) = 150nm)

Call

SiO2 + TiO2 + Pt (111) phim mỏng trên đế Si, 4 "x0.525mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 300nm, TiO2 = 20nm, Pt (111) = 150nm)

Call

SiO2 + Pt màng mỏng trên Si (B-pha tạp) chất nền, 10x10x0.5mm, 1SP (SiO2 = 500nm, Pt = 60nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt màng mỏng trên đế Si, 10x5x0.5mm, 1SP, B-doped (SiO2 = 500nm, Ti = 50nm, Pt = 200nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt màng mỏng trên Si (100) (B-pha tạp) chất nền, 10x10x0.5mm, 1SP, (SiO2 = 500nm, Ti = 50nm, Pt = 200nm)

Call

SiO2 + Ti + Pt màng mỏng trên đế Si, 4 "x0.5mm, 1SP P-type B-doped (SiO2 = 500nm, Ti = 50nm, Pt = 200nm)

Call

300 nm SiO2 + 50nm Si3N4 Films trên Si (100), 2 "dia x 0,250 mm t, P loại, B-doped R: 0.01-0.1ohm.cm

Call

Silicon-on-Sapphire (11-02, R Plate), 100 mm dày Dia x 0.5um, 2 sp

Call

Silicon-on-Sapphire (11-02, R Plate), 100 mm dày Dia x 0.6um, 2 sp

Call

Silicon-on-Sapphire (11-02, R Plate), 100 mm dày Dia x 1.0um, 2 sp

Call

Silicon-on-Sapphire (11-02, R Plate), dày 100mm Dia x0.6um, 1SP

Call

Silicon-on-Sapphire (11-02, R Plate), 10mm x 10mm x 0.5um dày, 2SP

Call

Silicon-on-Sapphire (11-02, R Plate), 10mmx10mm x0.6um dày, 1SP

Call

SOI wafer: 1 "x1" x0.625mm, 2 .5μm (P-doped) +1.0 SiO2 + 625um Si (P-type / Boron pha tạp)

Call

SOI wafer: 10x10x0.625mm, 2 .5μm (P-pha tạp) +1.0 SiO2 + 625um Si (P-type / Boron pha tạp)

Call

SOI wafer: 2 "x2" x0.625mm, 2 .5μm (P-doped) +1.0 SiO2 + 625um Si (P-type / Boron pha tạp)

Call

SOI wafer: 4 ", 1-20um (P / Boron) + 1- 2 um SiO2 + 500-625um Si

Call

SOI wafer: 6 ", 2,5 micromet (P-doped) + 1.0 SiO2 + 625um Si (P-type / Boron pha tạp)

Call

Silicon Nitride Film (LPCVD) trên Corning 7980, Độ dầy: 1.3um

Call

Silicon Nitride Film (LPCVD) trên Corning 7980, phim có độ dày: 1.3um, 10x10x0.5mm

Call

Silicon Nitride Film (LPCVD) trên Corning 7980, phim có độ dày: 1.3um, 10x5x0.5mm

Call

Silicon Nitride Film (LPCVD) trên Silicom Wafer, 1.3um / 4 "- Si3N4-Si-4-1.3um

Call

Silicon Nitride Film (LPCVD) trên Silicon wafer, 0.3um / 4

Call

Silicon Nitride Film (PE-CVD) trên Front Side bóng của Silicom Wafer, 100nm / 4

Call

SrMoO4 EPI Film (400nm) trên Sapphire <100> 10x10x0.5mm

Call

4H-SiC epitaxy phim trên 4H-SiC, loại P, 10x10x0.33mm, conc tàu sân bay. 1.4E17 / cc, 2SP

Call

4H-SiC epitaxy phim trên 4H-SiC, loại P, 2 "x0.33mm dia, conc hãng 1,4 E17 / cc, 2SP, độ dày:.. 4.3 microns

Call

2 "x2" SiC-Amorphous Thin Film như trồng trên Silicon wafer, 300nm Dầy, - SiC-AF-2-2-03

Call

4 "SiC-3C N loại Epi phim và CMP trên cả hai mặt của Silicon (100) N-type Wafer sau khi tăng trưởng epitaxy, 3,2 micron phim dày sau khi đánh bóng,

Call

4 "SiC-3C N loại Epi phim và CMP trên cả hai mặt của Silicon (100) P-type Wafer sau khi tăng trưởng epitaxy, 3,18 micron phim dày sau khi đánh bóng, -1

Call

4 "SiC-3C Undoped Epi phim như CMP trên cả hai mặt của Silicon (100) Wafer sau khi tăng trưởng epitaxy, 1,7 micron dày,

Call

4 "SiC-3C Undoped Epi phim như CMP trên cả hai mặt của Silicon (100) Wafer sau khi tăng trưởng epitaxy, 2,3 micron dày,

Call

4 "SiC-3C Undoped Epi phim như CMP trên cả hai mặt của Silicon (111) Wafer sau khi tăng trưởng epitaxy, 0,95 micron dày, hai bên đánh bóng - SiC-3CP-c-4-01

Call

4 "SiC-3C Undoped Epi phim như CMP trên cả hai mặt của Silicon (111) Wafer sau khi tăng trưởng epitaxy, 1.1 um Dày

Call

SiC-3C Undoped Epi phim như CMP trên cả hai mặt của Silicon (100) Wafer sau khi tăng trưởng epitaxy, 1,26 micron dày, SiC-3CP-a-4-013, 10x10x0.525mm

Call

Nhiệt Oxide Wafer, 300 nm SiO2 Layer trên Si (100), 2 "dia x 0.50 mm t, N loại, As-pha tạp, 1 bên đánh bóng, R: <0,005 ohm.cm

Call

Nhiệt Oxide Wafer: 300 nm SiO2 Layer trên Si (100), 2 "dia x 0,275 mm t, P loại B pha tạp, 1 bên đánh bóng, R: <0,2-0,4 ohm.cm

Call

Nhiệt Oxide Wafer: 300 nm SiO2 Layer trên Si (100), 2 "dia x 0.50 mm t, P loại B pha tạp, 1 bên đánh bóng, R: <0,005 ohm.cm

Call

Nhiệt Oxide Wafer: 50 nm SiO2 Layer trên Si (100), 2 "dia x 0.30 mm t, N loại, undoped

Call

1000 ohm.cm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12721'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">

1000 ohm.cm" onmouseover="AJAXShowToolTip('show-tip/12721'); return false;" onmouseout="AJAXHideTooltip();">Nhiệt Oxide Wafer: 300 nm SiO2 Layer trên Si (100), 3 "dia x 0.50 mm t, undoped loại N, 1SP R:> 1000 ohm.cm

Call

Nhiệt Oxide Wafer: 300 nm SiO2 Layer trên Si (100), 3 "dia x 0.50 mm t, N-type, P-doped 1SP R: 1-10 ohm.cm-1

Call

Nhiệt Oxide Wafer: 100 nm SiO2 Layer trên mặt trước (chỉ) của Si (111), 3 "dia x 0.50 mm t, P-type, 1SP

Call

Nhiệt Oxide Wafer: 300 nm SiO2 Layer trên Si (111), 3 "dia x 0.50 mm t, N-type, P-doped 1SP R: 5-15 ohm.cm

Call

Nhiệt Oxide Wafer: 300 nm SiO2 Layer trên Si (100), 3 "dia x 0.50 mm t, P-type, B-doped 1SP R: 1-10 ohm.cm

Call

Nhiệt Oxide Wafer: 300 nm SiO2 Layer trên Si (100), 3 "dia x 0,38 mm t, P-type, B-doped 1SP R <0,005 ohm.cm

Call

Một bên YIG Epi Film (3,05 micron) trên GGG Substrate, (111), 5 x 5 x 0.5mm (2SP)

Call

Một bên YIG Epi Film (3,05 micron) trên GGG Substrate, (111), 10 x 5 x 0.5mm (2SP)

Call

Một bên YIG Epi Film (3,05 micron) trên GGG Substrate, (111), 10x10x0.5mm (2SP),

Call

Một Side 100nm YBCO phim trên Nb: SrTiO3 (wt.0.7%) 10x10x0.5 mm chất nền

Call

Một Side 400nm YBCO phim trên SrTiO3 (100) 10x10x0.5 mm chất nền

Call

Một Side 100nm YBCO phim trên SrTiO3 (100) 10x10x0.5 mm chất nền

Call

YBCO Thin Film 400nm (một bên) trên LaAlO3 (100), 10x10x0.5 mm

Call

YBCO Thin Film 500nm (Hai bên) trên LaAlO3 (100), 3 "dia.x0.5 mm, 2SP

Call

YBCO Thin Film 500nm (Hai bên) trên LaAlO3 (100), 2 "dia.x0.5 mm, 2SP

Call

YBCO Thin Film 500nm (hai bên) vào Al2O3 (R-plane), 10x10x0.5 mm

Call

YBCO Thin Film 500nm (hai bên) vào Al2O3 (R-plane), 10x5x0.5 mm

Call

YBCO Thin Film 500nm (Hai bên) trên MgO, 2 "dia.x0.5 mm, 2SP

Call

YBCO Thin Film 500nm (hai bên) vào Al2O3 (R-plane), 3 "dia.x0.5 mm, 2SP

Call

Au (300-400nm) Film trên YBCO (500nm) Template / (Hai bên) trên LaAlO3, 2 "dia.x0.5 mm, 2SP

Call

ZnO Epi Film (0,5 um) trên Sapphire (0001), 10x10x0.5mm, undoped, - ZnO-Al2O3-101005U-Mỹ

Call

ZnO Epi phim trên Sapphire (0001), 2 "x0.5mm, undoped, ZnO: 0,5 um

Call

Quảng cáo

Video

Thống kê

Số người đang online: 9
Số truy cập hôm nay: 376
Tổng số người truy cập: 5210577

Tìm kiếm

Sản phẩm bán chạy

Stainless Steel Glove Box (31 "X26" X28 ") với Automatic Độ ẩm hệ thống lọc cho Li-ion Battery Lắp (H2O <10ppm) -VGB-3P

Liên Hệ

8 chiếc Cáp nối với Alligator Connector cho Battery Testing Board - EQ-BACC-8A

Liên Hệ

8 kênh Coin Cell Testing Board với cáp & Đầu nối bắt buộc cho BST8 Dòng Battery Phân tích - EQ-BC-8C

Liên Hệ

LiFePO4 38120P (M size) Cell: 3.2V 10 Ah (32Wh) - Liên Hợp Quốc phê chuẩn (3,0 DGR) như là tiêu chuẩn kiểm tra (4 chiếc Min đặt hàng.) - LFP-38120P

Liên Hệ

Điện LiPF6 cho Lithium-ion Battery R & D (LiPF6 trong dung môi hữu cơ cho Immediate Sử Dụng) 500g (10 x 50g) - EQ-Be-LiPF6

Liên Hệ

Ống Furnace 1200ºC Max Hai Zone PECVD (50 mm OD) với Pre-nóng và Auto trượt - OTF-1200X-50-II-PE-MSL-UL

Liên Hệ

Cty thép không gỉ chân không Glove Box (22 "X17" x16 ") với hút chân không bích & đo - EQ-VGB-1

Liên hệ

Cao Conductive Bạc Epoxy cho Target Bonding - EQ-SP-05.000-AB

Liên Hệ

Box hình ảnh

Tin tức mới

01 NAM NHÂN VIÊN KỸ THUẬT - VỀ THIẾT BỊ PTN LAB

01 Nam kỹ thuật về Thiết bị Phòng thí nghiệm. Yêu cầu: Trình độ Đại học (Tốt nghiệp chuyên ngành Kỹ thuật: KHOA HỌC CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU, Hóa học, Sinh học, Dược học, Vật Liệu, Nông lâm, Cơ Khí, Y Dược, Môi Trường, Vật Lý, Điện, Xây dựng...). ð Lương thỏa thuận, tùy theo năng lực: từ 5-7 triệu (Thử việc 1 tháng = 70% lương chính). Ngày đăng: 07/06/2019 có hiệu lực đến 31/12/2019
Aero-X Hoverbike: Chiếc xe trượt không khí đầu tiên trên thế giới

"Xe bay" Aero-X do công ty Aerofex thiết kế sẽ được hoàn thiện và bán ra thị trường vào năm 2017, được nhiều người kỳ vọng rằng đây sẽ là phương tiện giao thông của tương lai.
Phân loại dầu,chức năng của dầu trong máy nén khí

Mỗi hãng có một công loại dầu và đặc tính khác nhau hoặc gần giống nhau. Có nhiều cách để phân loại phân loại theo chỉ số nhớt hay các tiêu chuẩn, phụ gia...Về căn bản dầu công nghiệp được phân làm hai loại tùy vào gốc chiết suất ra nó. Dầu có gốc tổng hợp Dầu có gốc khoáng
Cơ sở lý thuyết về khí nén

Ứng dụng khí nén có từ thời trước Công nguyên, tuy nhiên sự phát triển của khoa học kỹ thuật thời đó không đồng bộ, nhất là kiến thức về cơ học, vật lý, vật liệu … còn thiếu, cho nên phạm vi ứng dụng của khí nén còn rất hạn chế.
Học bổng trường đại học kỹ thuật Swinburne

Đại học Kỹ thuật Swinburne được xếp vào Top 400 trường Đại học hàng đầu thế giới và Top 3 các Đại học tại Melbourne theo Bảng Xếp hạng học thuật các trường Đại học trên thế giới 2012 (Academic Rankings of World Universities).

Bản đồ

Tải về

Style 3

Liên kết

Nhận email

Dịch

Hỗ trợ trực tuyến

Nam ý

098 918 2955
Tư vấn

090 265 9944

Hotline: 0902659944-0989182955

THIẾT BỊ R&D CHO PIN

TINH THỂ & VẬT LIỆU

CHUẨN BỊ MẪU

XỬ LÝ NHIỆT

THIẾT BỊ PHÂN TÍCH VẬT LIỆU

THIẾT BỊ KHÁC PHÒNG THÍ NGHIỆM

XỬ LÝ MẪU

Like facebook

CTY TNHH TM DV THIẾT BỊ & HÓA CHẤT KHKT NAM Ý

Địa chỉ trụ sở chính: 54 Chấn Hưng, Phường 6, Q.Tân Bình, TP.HCM

MST: 030 3755 095

ĐT: 08. 3970.7043 - FAX: 08. 3970.7036 - Hotline: 090 265 9944 - 098 918 2955

Địa điểm kinh doanh số 1 tại: 64 Chấn Hưng, Phường 6, Q.Tân Bình, TP.HCM - MSDK: 00001

Email: namy@mtivietnam.net, ny@mtivietnam.net, namyvn@namyvn.com, info@namyvn.com, sales@namyvn.com, namycoltd@gmail.com, nycoltd@gmail.com, namyvnco@gmail.com

0902659944-0989182955

Một Side 100nm YBCO phim trên SrTiO3 (100) 10x10x0.5 mm chất nền

Giá : Liên Hệ

Thông số kỹ thuật chính của HTS Film

Epitaxy Thành phần phim mỏng

<100> YBCO

Chiều Film

cả cho một bên hoặc phim phía đôi

YBCO / LaAlO3 10x10 mm ~ 3 "dia.

YBCO / LSAT 10x10 mm ~ 2 "dia.

YBCO / Al2O3 10x10 mm ~ 3 "dia

YBCO / STO 10x10 mm ~ 1 "dia.

Epitaxy FWHM

<0,2 o

Nhiệt độ chuyển tiếp quan trọng Tc

> 90 K

Nhiệt độ quá trình chuyển đổi. phạm vi ΔTc

<0.5 K

Critical Jc hiện tại

2 ~ 3 MA / cm2 @ 77K 0T

Bề mặt điện trở suất Rs

<1 m Ohm @ 10 GHz, 77K, 0T

Độ dày màng mỏng

200-500 nm khi được yêu cầu,

Tính đồng nhất cho 2 "wafer

Độ dày 400 nm +/- 10%

Tc 90k +/- 1 o

Jc 3 +/- 0,5 MA / cm 2 @ 80% wafer trung tâm.

Gói

Kín trong chân không trong một hộp nhựa và túi.

Sản phẩm liên quan

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

Call

<0,2 ^o

Tc 90k +/- 1 ^o

Jc 3 +/- 0,5 MA / cm ² @ 80% wafer trung tâm.