GaN Epitxial Mẫu trên saphhire được thực hiện bởi một epitaxy pha hơi hydride (HVPE) phương pháp dựa trên. Trong quá trình HVPE, HCl phản ứng với nóng chảy Ga để tạo thành GaCl, mà lần lượt phản ứng với NH3 để tạo thành GaN. Epi GaN mẫu là một cách hiệu quả chi phí để thay thế GaN đơn tinh chất nền.

Thông số kỹ thuật

Nghiên cứu Grade 

• Kích thước 2 "Round
• Kích thước 50mm +/- 2mm
• Substrate Sapphire,   Định hướng c-trục (00.1) +/- 1.0 °
• Conduction Type: loại n,
• Điện trở suất> 1E6 Ohm-cm
• Mặt trận Surface Finish (Ga Face) Như trồng
• Trở lại Surface Kết thúc Sapphire như đón nhận kết thúc
• Diện tích bề mặt sử dụng được> 90%
• Cạnh trừ Area 1mm
• Gói Độc Wafer container
• Độ dày lớp GaN    5 micron, (+/- 10%)

Macro Defect Mật độ: <= 10 cm ^ -2 
Lattice Mismatch Constant: 14% không phù hợp 
Trật khớp Mật độ: 5x10 ^ 9 / cm ^ 2